APTSM120TAM33CTPAG

功能描述:POWER MODULE - SIC

制造商:microsemi corporation

系列:-

包装:散装

零件状态:有效

FET 类型:6 N-沟道(3 相桥)

FET 功能:碳化硅 (SiC)

漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV)

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):112A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):33 毫欧 @ 60A,20V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 3mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):408nC @ 20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7680pF @ 1000V

功率 - 最大值:714W

工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:底座安装

封装/外壳:SP6

供应商器件封装:SP6

标准包装:10

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